[发明专利]高密度QFN封装体及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201610141892.6 申请日: 2016-03-11
公开(公告)号: CN106935565A 公开(公告)日: 2017-07-07
发明(设计)人: 陈莉;司文全 申请(专利权)人: 无锡华润安盛科技有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L21/48;H01L21/60
代理公司: 无锡互维知识产权代理有限公司32236 代理人: 庞聪雅
地址: 214028 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种高密度QFN封装体及其制备方法。高密度QFN封装体包括在基材上呈矩阵排列的多个QFN产品;每个QFN产品包括芯片及引线,芯片固定在基材上,引线将芯片与基材相连;基材上设置有覆盖基材、芯片及引线的塑封体;各个QFN产品之间的间距为0.1mm以上。制备方法包括在基材支撑板上形成基材和呈矩阵排列的多个QFN产品,并且使各QFN产品间的间距为0.1mm以上;将芯片安装于基材上;将引线连接于芯片和基材之间;将芯片、引线和基材形成塑封体;去除基材支撑板,形成高密度QFN封装体。本发明提高了单条框架QFN产品的密度,降低了QFN产品的加工成本。
搜索关键词: 高密度 qfn 封装 及其 制备 方法
【主权项】:
一种高密度QFN封装体,其特征是:所述QFN封装体(100)包括基材(1),所述基材(1)上布置有呈矩阵排列的多个QFN产品(10);每个所述QFN产品(10)包括芯片(3)及引线(4),所述芯片(3)通过粘合层(2)固定在所述基材(1)上,所述引线(4)将所述芯片(3)与所述基材(1)相连;所述基材(1)上设置有覆盖所述基材(1)、所述芯片(3)及引线(4)的塑封体(5);各个所述QFN产品(10)之间的间距(20)为0.1mm以上。
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