[发明专利]PE-CVD设备及方法有效
申请号: | 201610136744.5 | 申请日: | 2016-03-10 |
公开(公告)号: | CN105970190B | 公开(公告)日: | 2019-08-30 |
发明(设计)人: | 丹尼尔·T·阿查德;斯蒂芬·R·伯吉斯;马克·I·卡拉瑟斯;安德鲁·普赖斯;基思·E·布查恩;凯瑟琳·克鲁克 | 申请(专利权)人: | SPTS科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 王艳波;张颖玲 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | 根据本发明,提供了等离子体增强化学气相沉积(PE‑CVD)设备和方法,所述设备包括:包括周向泵送通道的腔室;设置在所述腔室内的基板支撑件;将气体引入到所述腔室中的一个或多个气体入口;在所述腔室中产生等离子体的等离子体产生装置;和定位在所述腔室中的上部元件和下部元件,其中,所述上部元件与所述基板支撑件间隔开以限制所述等离子体并界定第一周向泵送间隙,并且所述上部元件用作所述周向泵送通道的径向内壁,并且,所述上部元件与所述下部元件沿径向间隔开以界定第二周向泵送间隙,该第二周向泵送间隙用作所述周向泵送通道的入口,其中,所述第二周向泵送间隙比所述第一周向泵送间隙更宽。 | ||
搜索关键词: | pe cvd 设备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体增强化学气相沉积(PE‑CVD)设备,包括:包括周向泵送通道的腔室;设置在所述腔室内的基板支撑件;将气体引入到所述腔室内的一个或多个气体入口;在所述腔室中产生等离子体的等离子体产生装置;和定位在所述腔室中的上部元件和下部元件;其中,所述上部元件与所述基板支撑件间隔开以限制所述等离子体并界定第一周向泵送间隙,并且所述上部元件用作所述周向泵送通道的径向内壁;并且所述上部元件与所述下部元件沿径向间隔开以界定第二周向泵送间隙,所述第二周向泵送间隙用作所述周向泵送通道的入口,其中,所述第二周向泵送间隙比所述第一周向泵送间隙更宽;其中,所述上部元件是环形结构,并且所述下部元件是横截面为大致L形状的环形结构,所述下部元件与所述基板支撑件沿径向间隔开以界定辅助周向泵送通道。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的