[发明专利]隔离结构的形成方法和半导体结构的形成方法

摘要

一种隔离结构的形成方法和半导体结构的形成方法，隔离结构的形成方法包括：提供衬底，包括用于形成核心存储电路的第一区域和用于形成外围电路的第二区域；在衬底上形成栅极结构层；在栅极结构层上形成硬掩膜；分别在第一区域和第二区域的栅极结构层内形成第一开口和第二开口，第二开口大于第一开口；形成覆盖第一开口侧壁的保护层；沿第二开口刻蚀衬底，在衬底内形成第二沟槽，然后沿第一开口刻蚀衬底，在衬底内形成第一沟槽；在第一沟槽内形成第一隔离结构，且在第二沟槽内形成第二隔离结构。通过形成覆盖第一开口侧壁的保护层，减少形成第二沟槽的工艺对第一区域的硬掩膜的损耗，从而减小对第一沟槽尺寸的影响，进而优化快闪存储器的电学性能。

主权项

1.一种隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，包括用于形成核心存储电路的第一区域和用于形成外围电路的第二区域；在所述衬底上形成栅极结构层；在所述栅极结构层上形成硬掩膜；以所述硬掩膜为掩模刻蚀所述栅极结构层，在所述第一区域的栅极结构层内形成第一开口，在所述第二区域的栅极结构层内形成第二开口，所述第二开口大于所述第一开口；形成覆盖所述第一开口侧壁的保护层；形成所述保护层后，沿所述第二开口刻蚀所述衬底，在所述衬底内形成第二沟槽；形成所述第二沟槽后，沿所述第一开口刻蚀所述衬底，在所述衬底内形成第一沟槽；在所述第一沟槽内形成将所述第一区域隔离成多个有源区的第一隔离结构，且在所述第二沟槽内形成第二隔离结构；形成所述第一沟槽和第二沟槽后，去除所述保护层。