[发明专利]静电放电保护器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201610134352.5 | 申请日： | 2016-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN107180817B | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩;冯军宏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种静电放电保护器件及其形成方法，其中，所述形成方法包括：基底，包括邻近的第一晶体管区和第二晶体管区；位于第一晶体管区基底中邻近的第一P掺杂区和第一N掺杂区；位于第二晶体管区基底中的第二P掺杂区和第二N掺杂区，所述第一P掺杂区与所述第二N掺杂区邻近或所述第一N掺杂区与所述第二P掺杂区邻近，或者所述第一P掺杂区与所述第二N掺杂区邻近且所述第一N掺杂区与所述第二P掺杂区邻近；位于所述第一P掺杂区和第二P掺杂区表面的阳极；位于所述第一N掺杂区和第二N掺杂区表面的阴极。所述静电放电保护器件具有较多的静电释放路径，能够降低静电放电保护器件中的电流密度，减少电流对静电放电保护器件产生损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种静电放电保护器件，其特征在于，包括：基底，所述基底包括邻近的第一晶体管区和第二晶体管区；位于第一晶体管区基底中邻近的第一P掺杂区和第一N掺杂区；位于第二晶体管区基底中的第二P掺杂区和第二N掺杂区，所述第一P掺杂区与所述第二N掺杂区邻近，或者所述第一N掺杂区与所述第二P掺杂区邻近，或者所述第一P掺杂区与所述第二N掺杂区邻近且所述第一N掺杂区与所述第二P掺杂区邻近；位于所述第一P掺杂区和第二P掺杂区表面的阳极；位于所述第一N掺杂区和第二N掺杂区表面的阴极。
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