[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201610133540.6 | 申请日： | 2016-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN107180861B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/70 | 分类号： | H01L29/70;H01L21/328 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供衬底，包括第一区域、环绕第一区域且与第一区域相邻的第二区域，以及环绕第二区域且与第二区域相邻的第三区域；刻蚀衬底，形成鳍部，第一区域的鳍部密度大于第二区域和第三区域的鳍部密度；在第一区域的鳍部内形成垂直于所述衬底表面方向的剖面形状为U形的第一开口；在第一开口中形成第一连接层。由于第一区域的鳍部密度较大，鳍部与鳍部之间的距离较小，本发明通过形成垂直于所述衬底表面方向的剖面形状为U形的第一连接层，避免所述第一连接层因侧壁具有凸出形貌而发生互相连接，从而避免所述第一连接层的形貌对双极结型晶体管的性能稳定性造成不良影响，进而提高半导体器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域、环绕所述第一区域且与所述第一区域相邻的第二区域，以及环绕所述第二区域且与所述第二区域相邻的第三区域，所述第一区域用于形成发射极，所述第二区域用于形成基极，所述第三区域用于形成集电极；刻蚀所述衬底，形成鳍部，所述第一区域的鳍部密度大于所述第二区域和第三区域的鳍部密度；在所述第一区域的鳍部内形成第一开口，所述第一开口垂直于所述衬底表面方向的剖面形状为U形；在所述第一开口中形成第一连接层；对所述第一连接层进行离子掺杂，以形成发射极；在第二区域的鳍部内形成基极；在第三区域的鳍部内形成集电极。
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