[发明专利]带有第一和第二场电极结构的半导体装置

摘要

本发明涉及带有第一和第二场电极结构的半导体装置。半导体装置包含：从第一表面延伸到半导体部分中的第一和第二场电极结构。第一场电极结构包含使针状第一场电极与半导体部分绝缘的第一场电介质。第二场电极结构包含使针状第二场电极与半导体部分绝缘的第二场电介质。第二场电介质比第一场电介质更厚。在第一表面中第一和第二场电极结构的开口可以是非圆形对称的，其中第二场电极结构的开口关于第一场电极结构的开口倾斜。替选地或附加地，在第一表面中第二场电极结构的开口可以比第一场电极结构的开口更大。

主权项

1.一种半导体装置，包括：第一场电极结构（160），从第一表面（101）延伸到半导体部分（100）中，所述第一场电极结构（160）包括使第一针状场电极（165）与半导体部分（100）绝缘的第一场电介质（161），以及第二场电极结构（180），从第一表面（101）延伸到半导体部分（100）中，所述第二场电极结构（180）包括第二场电介质（181），所述第二场电介质（181）比第一场电介质（161）更厚并且所述第二场电介质（181）使第二针状场电极（185）与半导体部分（100）绝缘，其中在第一表面（101a）中的第一和第二场电极结构（160、180）的开口是非圆形对称的，并且第二场电极结构（180）的开口关于第一场电极结构（160）的开口倾斜。