[发明专利]用于化学气相沉积的具有铁磁流体密封件的转盘反应器有效
申请号: | 201610120769.6 | 申请日: | 2013-05-09 |
公开(公告)号: | CN105734532B | 公开(公告)日: | 2019-04-30 |
发明(设计)人: | L·S·巴里斯;R·A·科穆纳莱;R·P·弗雷姆根;A·I·古拉雷;T·A·卢斯;R·W·米尔盖特三世;J·D·波洛克 | 申请(专利权)人: | 维易科精密仪器国际贸易(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/46 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 王初 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种用于化学汽相沉积的转盘反应器,其包括真空室和铁磁流体穿通件,该铁磁流体穿通件包括上部和下部铁磁流体密封件,马达轴通过该铁磁流体穿通件进入真空室中。马达联接至马达轴,并且定位在上部和下部铁磁流体密封件之间的大气区域中。转台定位在真空室中,并且联接至马达轴,从而马达按所需转速转动转台。介电支架联接至转台,从而转台当由轴驱动时转动介电支架。基片载体定位在用于化学汽相沉积处理的真空室中的介电支架上。加热器定位成靠近基片载体,该加热器将基片载体的温度控制到化学汽相沉积所需的温度。 | ||
搜索关键词: | 用于 化学 沉积 具有 流体 密封件 转盘 反应器 | ||
【主权项】:
1.一种用于化学气相沉积的单基片载体,所述基片载体包括:a)本体;b)顶部表面,其具有用来接纳基片的凹入区域;c)圆化边缘,其具有减小热损失和增进流过所述基片的工艺气体的均匀性的形状;d)大致平坦表面,其位于所述圆化边缘的底部,用来定位在转动空心圆筒介电支架的顶部上;以及e)竖向边沿,其定位成靠近所述圆化边缘,该竖向边沿与所述转动空心圆筒介电支架的内表面对准,其中,所述转动空心圆筒介电支架和所述基片载体各具有的热膨胀系数被选择为使得在所述转动空心圆筒介电支架的所述内表面和所述竖向边沿之间的间隙在操作中减小以便更牢固地保持所述基片载体从而减小摆动。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的