[发明专利]有机电致发光器件

摘要

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层以及阴极，其特征在于，所述阳极为导电薄膜，包括层叠的ZnO：R³⁺层及V₂O₅层，其中，R为铝元素，镓元素和铟元素中的一种；所述ZnO：R³⁺层是纳米线结构的导电薄膜，所述纳米线直径为30nm～400nm；所述ZnO：R³⁺层的厚度为50nm～800nm，所述V₂O₅层的厚度为0.5nm～10nm。上述有机电致发光器件通过在ZnO：R³⁺层的表面沉积及高功函的V₂O₅层制备双层导电薄膜，既能保持ZnO：R³⁺层的良好的导电性能，又使有机电致发光器件的功函数得到了显著的提高。

主权项

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层以及阴极，其特征在于，所述阳极为导电薄膜，包括层叠的ZnO:R3+层及V2O5层，其中，R为铝元素，镓元素和铟元素中的一种；所述导电薄膜通过以下步骤制备而成：将ZnO:R3+靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，磁控溅射镀膜设备的真空腔体的真空度为1.0×10‐3Pa～1.0×10‐6Pa；在所述衬底表面溅镀ZnO:R3+层，溅镀所述ZnO:R3+层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，激光的能量为80W～300W，压强为3Pa～30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为10sccm～40sccm，衬底温度为250℃～750℃，得到负载有ZnO:R3+薄膜的衬底；再将所述负载有ZnO:R3+薄膜的衬底和V2O5靶材放入蒸镀设备中，其中，所述蒸镀设备的真空腔体的真空度为1.0×10‐3Pa～1.0×10‐6Pa,在所述ZnO:R3+层表面蒸镀V2O5层，蒸镀所述V2O5层的工艺参数为：衬底与靶材的间距为45mm～95mm，蒸发温度为400～950℃，蒸发速率为0.5～5nm/s；及剥离所述衬底得到所述导电薄膜。