[发明专利]具有减少的衬底损伤的半导体器件和相关方法在审
| 申请号： | 201610109997.3 | 申请日： | 2011-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN105679862A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | C·韦恩斯;J·凯里;X·李 | 申请（专利权）人： | 西奥尼克斯公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0256;H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升;赵蓉民 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了具有增加的操作性能的光电子器件、材料和相关方法。例如，在一个方面，光电子器件可以包含半导体材料、在半导体材料中的第一掺杂区、在半导体材料中与第一掺杂区形成结的第二掺杂区以及与该结关联的激光处理区。该激光处理区被定位成与电磁辐射交互。另外，来自该激光处理区的至少一部分激光损伤区被去除，以使得该光电子器件具有约500mV到约800mV的开路电压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 减少 衬底 损伤 半导体器件 相关 方法 | ||
【主权项】：
一种光电子器件，其包括：半导体材料；在所述半导体材料中的第一掺杂区；在所述半导体材料中与所述第一掺杂区形成结的第二掺杂区；以及激光处理区，其与所述结关联并且被配置为与电磁辐射交互，其中来自激光处理区的至少一部分激光损伤区被去除，以使得所述光电子器件具有约500mV到约800mV的开路电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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