[发明专利]一种片上随机存取存储器内建自测试方法和装置有效
| 申请号： | 201610099762.0 | 申请日： | 2016-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN105760268B | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 王震;张祥杉 | 申请（专利权）人： | 大唐微电子技术有限公司;大唐半导体设计有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/267 | 分类号： | G06F11/267;G06F11/22 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 韩辉峰;李丹 |
| 地址： | 100094*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种片上RAM BIST方法和装置，其中方法包括：预先设置写入功能模式Pattern和测试功能Pattern；当RAM BIST模块接收到写入功能Pattern时，RAM BIST模块将自身切换为RAM写入程序状态，并将写入功能Pattern中的指令写入RAM，CPU将取值地址映射到对应的RAM，并根据所述取值地址读取指令；当RAM BIST模块接收到测试功能Pattern时，基于March LR算法，从所述测试起始地址开始在RAM执行指令进行测试，并输出测试结果。本发明实施例能够提高测试芯片数量、节约检测时间、减少检验步骤，从而降低芯片测试成本和提高测试效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 随机存取存储器 测试 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种片上随机存取存储器RAM内建自测试BIST方法，其特征在于，包括：预先设置写入功能模式和测试功能模式，所述写入功能模式包括指令和结束标志，所述测试功能模式包括指令、测试起始地址和结束标志；所述写入功能模式是在Rom和Flash损坏时，通过输入/输出接口指定的；所述写入功能模式中的指令与损坏的Rom和Flash中指令的功能相同；当RAM BIST模块接收到写入功能模式时，RAM BIST模块将自身切换为RAM写入程序状态，并将写入功能模式中的指令写入RAM，CPU将取值地址映射到对应的RAM，并根据所述取值地址读取指令；所述测试起始地址为20bits命令字，当RAM BIST模块接收到测试功能模式时，基于March LR算法，通过设置所述20bits命令字对所述测试起始地址进行配置，以从所述测试起始地址开始在RAM执行指令进行测试，并输出测试结果。
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