[发明专利]一种CuAlMn形状记忆合金晶粒的细化方法有效

专利信息
申请号: 201610099699.0 申请日: 2016-02-24
公开(公告)号: CN105568019B 公开(公告)日: 2017-05-17
发明(设计)人: 王清周;崔春翔;殷福星;杨涧;李波;李楠 申请(专利权)人: 河北工业大学
主分类号: C22C1/02 分类号: C22C1/02;C22C9/01;C22F1/08
代理公司: 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙)12210 代理人: 胡安朋
地址: 300130 天津市红桥区*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明一种CuAlMn形状记忆合金晶粒的细化方法,涉及改变铜基合金的物理结构,步骤是制备孕育剂Cu51Zr14;取所需质量的成分配比为Cu‑11.9%Al‑2.5%Mn的铜基形状记忆合金置于中频感应电炉内熔化,然后移至井式坩埚炉内,并于1090~1100℃保温5~8分钟后投入该铜基形状记忆合金总质量0.1~1.0%的粉碎处理后的孕育剂Cu51Zr14,搅拌10~15秒钟并撇渣后浇入钢制模具中,由此完成CuAlMn形状记忆合金晶粒的细化。本发明方法克服了现有技术对CuAlMn形状记忆合金进行细化的效果有限的缺陷,使得现有CuAlMn形状记忆合金的力学性能及低温阻尼性能同时获得了显著提高。
搜索关键词: 一种 cualmn 形状 记忆 合金 晶粒 细化 方法
【主权项】:
一种CuAlMn形状记忆合金晶粒的细化方法,其特征在于步骤如下:第一步,制备孕育剂Cu51Zr14:按Cu51Zr14所示成分的原子数比为Cu∶Zr=51∶14,分别称取所需质量的原料纯Cu和纯Zr进行配料,然后放入非自耗型真空电弧炉内,抽真空至5×10‑3Pa后开始通电并起弧熔炼,待配料全部熔化后浇注,将浇注得到的合金翻置后,在与上述同样条件下重新熔炼,如此重复3~5次后制得Cu51Zr14孕育剂,然后对所制得的孕育剂Cu51Zr14进行粉碎处理,待用;第二步,CuAlMn形状记忆合金晶粒的细化:取所需质量的成分配比为Cu‑11.9%Al‑2.5%Mn的铜基形状记忆合金置于中频感应电炉内熔化,然后移至井式坩埚炉内,并于1090~1100℃保温5~8分钟后投入该铜基形状记忆合金总质量0.1~1.0%的第一步所制得的粉碎处理后的孕育剂Cu51Zr14,搅拌10~15秒钟并撇渣后浇入钢制模具中,由此完成CuAlMn形状记忆合金晶粒的细化,上述百分数为质量百分数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北工业大学,未经河北工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610099699.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top