[发明专利]一种CuAlMn形状记忆合金晶粒的细化方法有效
申请号: | 201610099699.0 | 申请日: | 2016-02-24 |
公开(公告)号: | CN105568019B | 公开(公告)日: | 2017-05-17 |
发明(设计)人: | 王清周;崔春翔;殷福星;杨涧;李波;李楠 | 申请(专利权)人: | 河北工业大学 |
主分类号: | C22C1/02 | 分类号: | C22C1/02;C22C9/01;C22F1/08 |
代理公司: | 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙)12210 | 代理人: | 胡安朋 |
地址: | 300130 天津市红桥区*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明一种CuAlMn形状记忆合金晶粒的细化方法,涉及改变铜基合金的物理结构,步骤是制备孕育剂Cu51Zr14;取所需质量的成分配比为Cu‑11.9%Al‑2.5%Mn的铜基形状记忆合金置于中频感应电炉内熔化,然后移至井式坩埚炉内,并于1090~1100℃保温5~8分钟后投入该铜基形状记忆合金总质量0.1~1.0%的粉碎处理后的孕育剂Cu51Zr14,搅拌10~15秒钟并撇渣后浇入钢制模具中,由此完成CuAlMn形状记忆合金晶粒的细化。本发明方法克服了现有技术对CuAlMn形状记忆合金进行细化的效果有限的缺陷,使得现有CuAlMn形状记忆合金的力学性能及低温阻尼性能同时获得了显著提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 cualmn 形状 记忆 合金 晶粒 细化 方法 | ||
【主权项】:
一种CuAlMn形状记忆合金晶粒的细化方法,其特征在于步骤如下:第一步,制备孕育剂Cu51Zr14:按Cu51Zr14所示成分的原子数比为Cu∶Zr=51∶14,分别称取所需质量的原料纯Cu和纯Zr进行配料,然后放入非自耗型真空电弧炉内,抽真空至5×10‑3Pa后开始通电并起弧熔炼,待配料全部熔化后浇注,将浇注得到的合金翻置后,在与上述同样条件下重新熔炼,如此重复3~5次后制得Cu51Zr14孕育剂,然后对所制得的孕育剂Cu51Zr14进行粉碎处理,待用;第二步,CuAlMn形状记忆合金晶粒的细化:取所需质量的成分配比为Cu‑11.9%Al‑2.5%Mn的铜基形状记忆合金置于中频感应电炉内熔化,然后移至井式坩埚炉内,并于1090~1100℃保温5~8分钟后投入该铜基形状记忆合金总质量0.1~1.0%的第一步所制得的粉碎处理后的孕育剂Cu51Zr14,搅拌10~15秒钟并撇渣后浇入钢制模具中,由此完成CuAlMn形状记忆合金晶粒的细化,上述百分数为质量百分数。
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