[发明专利]Bi代LiZnTiMn旋磁铁氧体基板材料的制备方法

摘要

一种Bi代LiZnTiMn旋磁铁氧体基板材料的制备方法，属于磁性材料制备技术领域。所述旋磁铁氧体基板材料采用氧化物烧结制备工艺，经过配料、球磨、氧气氛预烧、二次球磨、造粒成型、烧结过程，控制晶粒均匀致密生长，实现了Bi代LiZnTiMn铁氧体在低温(880～920℃)下的烧结。本发明制备得到的Bi代LiZnTiMn旋磁铁氧体具有低烧结温度、低介电损耗、窄铁磁共振线宽、高饱和磁感应强度和高矩形比。

主权项

一种Bi代LiZnTiMn旋磁铁氧体基板材料的制备方法，包括以下步骤：步骤1：以Li₂CO₃、ZnO、TiO₂、Mn₃O₄、Fe₂O₃和Bi₂O₃为原料，按照Li_0.42Zn_0.27Ti_0.11Mn_0.1Fe_2.1‑xBi_xO₄分子式的比例称料，配制得到初始粉体，其中，0<x<0.01；步骤2：将步骤1得到的初始粉体湿法球磨，球磨时间为4～6h，烘干后的粉料在烧结炉中进行预烧，预烧温度为840～860℃，预烧时间为1～3h，然后随炉自然降温至室温，得到预烧粉体；步骤3：将步骤2得到的预烧粉体进行二次球磨，球磨时间为4～8h，球磨转速为200～250r/min；二次球磨后的料浆取出后烘干，加入浓度为8～10wt％的聚乙烯醇溶液造粒成型并压制成坯件；然后将压制后的坯件放入烧结炉中，在880～920℃温度下烧结2～3h，随炉冷却至室温即得到所述的Bi代LiZnTiMn旋磁铁氧体基板材料。