[发明专利]氧化铜纳米线阵列在室温下的制备方法在审
| 申请号： | 201610098628.9 | 申请日： | 2016-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN105514406A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 郑鹏;刘婷;郭守武 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | H01M4/48 | 分类号： | H01M4/48;H01M4/1391;H01M10/0525;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 杨晔 |
| 地址： | 710021 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 氧化铜纳米线阵列在室温下的制备方法，其步骤为：取铜片，用盐酸进行洗涤，洗涤后用水冲洗干净，然后吹干；取氨水和NaOH与水进行混合，获得混合液；反应温度为室温的条件下，将铜片置于上述混合液中浸泡，获得黑色铜片；将上述黑色铜片用水洗净，然后吹干，获得氧化铜纳米线阵列；本发明的制备原理是氨基和铜片先在母液中生成Cu(NH3)42+，随后被羟基和室温作用瞬时生成CuO纳米线，并长于铜片，采用本方法能够减小纳米线阵列中纳米线的直径和增大线间的空隙，且避免不必要的高温加热过程，具有操作简单、可重复性高、成本低廉的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化铜 纳米 阵列 室温 制备 方法 | ||
【主权项】：
氧化铜纳米线阵列在室温下的制备方法，其特征在于，其步骤为：S1、取面积为1‑10cm2的铜片，用0.1M的盐酸进行洗涤，洗涤后用水冲洗干净，然后吹干；S2、取200ml水、1ml的质量浓度为28％的氨水和40mg的NaOH进行混合，获得混合液；S3、反应温度为室温的条件下，将铜片置于上述混合液中浸泡96小时，获得黑色铜片；S4、将上述黑色铜片取出，用水洗净，然后吹干，获得氧化铜纳米线阵列。
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