[发明专利]一种三族氮化物基双异质结光电晶体管

摘要

一种三族氮化物基双异质结光电晶体管，属于半导体器件技术领域。一种三族氮化物基双异质结光电晶体管及其制备方法，包括衬底及生长于衬底之上的外延层，外延层自下而上的顺序依次为缓冲层或过渡层，施主重掺杂欧姆接触层，合金组分渐变层，较大禁带宽度材料的施主掺杂层，较大禁带宽度材料的非故意掺杂层，受主掺杂层，非故意掺杂光吸收层，合金组分渐变层，较大禁带宽度材料的施主掺杂窗口层。本发明采用集电区上置结构，并采用禁带宽度较光吸收层大的三族氮化物多元合金材料作为入射光的窗口层，提高量子效率，增加光生空穴数量，从而提高器件的光电增益；在下置的发射区中采用反向异质结作为发射结，并导入较大禁带宽度材料的非故意掺杂层作为受主掺杂扩散阻挡层及基区‑发射区异质界面能带凹陷补偿层，提高晶体管电子注入效率。本发明具有光电增益高、器件性能稳定等特点。

主权项

一种三族氮化物基双异质结光电晶体管，其特征在于，包括衬底（101）及生长于衬底（101）之上的外延层，其中，外延层自下而上的顺序依次为缓冲层或者过渡层（102），施主重掺杂欧姆接触层（103），合金组分渐变层（104），较大禁带宽度材料的施主掺杂层（105），较大禁带宽度材料的非故意掺杂层（106），受主掺杂层（107），非故意掺杂光吸收层（108），合金组分渐变层（109），较大禁带宽度材料的施主掺杂层（110）。