[发明专利]具有防止补偿掺杂的太阳能电池的制造

摘要

一种太阳能电池制造工艺，包括在太阳能电池衬底的背面上的多晶硅层(104)上印刷掺杂物源(105、106)。对掺杂物源(105、106)进行固化，以将来自掺杂物源(105、106)的掺杂物扩散至多晶硅层(104)中，从而形成扩散区(107、108)，并对掺杂物源(105、106)进行交联，以使它们对后面执行的纹理化工艺具有抵抗性。为了防止补偿掺杂，阻止来自掺杂物源(105、106)之一的掺杂物释放气体并扩散到其它掺杂物源中。例如，来自N型掺杂物源(106)的磷被阻止扩散到包括硼的P型掺杂物源(105)中。

主权项

1.一种太阳能电池结构，包括：太阳能电池衬底，该太阳能电池衬底包括在正常工作期间朝向太阳以接收太阳辐射的正面，以及与正面相对的背面；覆盖在太阳能电池衬底背面上的多晶硅层；以及形成于多晶硅层上的第一掺杂物源和第二掺杂物源，第一和第二掺杂物源包括可印刷印料，第一掺杂物源包括硼磷硅玻璃(BPSG)，其中第一掺杂物源为N型，第二掺杂物源为P型，所述第一掺杂物源和所述第二掺杂物源配置为分别用于形成所述太阳能电池结构的用于将投射在其上的太阳辐射转换为电能的N型扩散区和P型扩散区。