[发明专利]栅氧化层厚度实时监控方法有效
| 申请号： | 201610088975.3 | 申请日： | 2016-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN105719983B | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 张召;王智;苏俊铭;倪立华 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一栅氧化层厚度实时监控方法，在栅氧化层制备完成并测量其物理厚度D1后，定义第一自然氧化层厚度DOX1和第二自然氧化层厚度DOX2，监控栅氧化层的实时厚度D＝D1+DOX1+DOX2。该方法综合考虑栅氧化层制备完成后、到多晶硅栅沉积工艺开始前的等待时间Q‑Time，以及多晶硅栅沉积工艺中沉积区域氧气浓度O2‑Density对栅氧化层自然氧化速度的影响，实现对栅氧化层实际厚度的精确监控。与现有技术相比，能够根据工艺进度、工艺条件以及工艺时间，精确监控栅氧化层的实时厚度，与传统的栅氧化层物理厚度实际测量相比，更为细致和精确，避免物理厚度监控与最终实际电性厚度不符而失去监控意义，从而提高工艺质量，保障器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 厚度 实时 监控 方法 | ||
【主权项】：
1.一种栅氧化层厚度实时监控方法，在栅氧化层制备完成并测量其物理厚度D1后，定义第一自然氧化层厚度DOX1和第二自然氧化层厚度DOX2，监控栅氧化层的实时厚度D＝D1+DOX1+DOX2，其中：DOX1为栅氧化层制备完成后、到多晶硅栅沉积工艺开始前的等待时间内形成的第一自然氧化层厚度；DOX2为多晶硅栅沉积工艺过程中形成的第二自然氧化层厚度；其中，DOX1＝B*Q‑Time，其中，B为第一系数，单位为![]()
Q‑Time为栅氧化层制备完成后、到多晶硅栅沉积工艺开始前的等待时间，单位为Hrs；DOX2＝C*ln(O2‑Density)，其中，C为第二系数，单位为![]()
O2‑Density为多晶硅栅沉积工艺中沉积区域氧气浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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