[发明专利]半导体裸芯片在审
| 申请号： | 201610086851.1 | 申请日： | 2016-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN105895630A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 苏耀群 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人： | 白华胜;王蕊 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体裸芯片。半导体裸芯片包括处理电路、复用器，以及传输接口，处理电路产生多个信号输出，复用器整合多个信号输出成合成信号，传输接口传输合成信号至晶片级封装内的另一半导体裸芯片。本发明可达成晶片级封装中的半导体裸芯片间的信号数量减少。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
一种半导体裸芯片，组装于晶片级封装，其特征在于，所述半导体裸芯片包括：处理电路，产生多个信号输出；复用器，整合所述多个信号输出成合成信号；以及传输接口，传输所述合成信号至所述晶片级封装内的另一半导体裸芯片。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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