[发明专利]改善器件性能的方法

摘要

一种改善器件性能的方法，包括以第一伪栅为掩膜，对第一伪栅两侧的NMOS区域基底进行第一N型掺杂处理，形成N型源漏区；以第二伪栅为掩膜，对第二伪栅两侧的PMOS区域基底进行第一P型掺杂处理，形成P型源漏区；在基底表面、N型源漏区表面以及P型源漏区表面形成层间介质层；对第一伪栅进行第二P型掺杂处理；对第二伪栅进行第二N型掺杂处理；在进行第二P型掺杂处理和第二N型掺杂处理之后，在同一道工艺步骤中刻蚀去除所述第一伪栅和第二伪栅。本发明提高刻蚀去除第一伪栅和第二伪栅的刻蚀均一性，使得第一伪栅和第二伪栅被同时完全刻蚀去除，避免第一伪栅残留或第二伪栅残留，从而改善形成的器件的电学性能。

主权项

一种改善器件性能的方法，其特征在于，包括：提供包括NMOS区域和PMOS区域的基底，所述NMOS区域基底表面形成有第一伪栅，所述PMOS区域基底表面形成有第二伪栅；以所述第一伪栅为掩膜，对所述第一伪栅两侧的NMOS区域基底进行第一N型掺杂处理，形成N型源漏区；以所述第二伪栅为掩膜，对所述第二伪栅两侧的PMOS区域基底进行第一P型掺杂处理，形成P型源漏区；在所述基底表面、N型源漏区表面以及P型源漏区表面形成层间介质层，所述层间介质层覆盖第一伪栅侧壁以及第二伪栅侧壁；对所述第一伪栅进行第二P型掺杂处理；对所述第二伪栅进行第二N型掺杂处理；在进行所述第二P型掺杂处理和第二N型掺杂处理之后，在同一道工艺步骤中刻蚀去除所述第一伪栅和第二伪栅。