[发明专利]静电放电保护器件和集成电路有效
| 申请号： | 201610083829.1 | 申请日： | 2016-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN107046022B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 王俊;刘毅;马莹;卢斌;程惠娟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高静;吴敏<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种静电放电保护器件和集成电路，所述静电放电保护器件包括：衬底；位于衬底内的可控硅结构，所述可控硅结构包括：用于实现静电输入的阳极，以及用于实现静电输出的阴极以及控制极；第一触发MOS管用于在静电输入时先于所述可控硅结构实现第一端和第二端之间的导通。本发明通过设置第一触发MOS管用于在静电输入时先于所述可控硅结构实现第一端和第二端之间的导通。所述第一触发MOS管在所述可控硅结构之前实现导通，一部分静电通过所述第一触发MOS管释放，而且随着静电的释放所述静电释放电流流经所述可控硅结构，能够对所述可控硅结构进行充电，从而使所述可控硅结构触发，从而降低了所述静电保护器件的触发电压。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护 器件 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种静电放电保护器件，其特征在于，包括：/n衬底，所述衬底为P型衬底；/n位于衬底内的可控硅结构，所述可控硅结构包括：位于P型衬底内的N型阱区，用于实现静电输入的阳极，以及用于实现静电输出的阴极以及控制极；/n位于所述N型阱区内的第一触发MOS管，所述第一触发MOS管包括第一端、第二端以及控制端，所述控制端控制所述第一触发MOS管的第一端和所述第一触发MOS管的第二端的导通和截断；/n所述第一触发MOS管的第一端、控制端与所述可控硅结构的阳极相连；所述第一触发MOS管的第二端与所述可控硅结构的阴极和控制极相连，用于在静电输入时先于所述可控硅结构实现第一端和第二端之间的导通；/n所述可控硅结构还包括：第二触发MOS管，所述第二触发MOS管包括第一端、第二端以及控制端，所述控制端控制所述第二触发MOS管的第一端和所述第二触发MOS管第二端之间的导通和截断；/n所述第二触发MOS管的第一端与所述N型阱区相连；所述第二触发MOS管的第二端与控制端连接所述可控硅结构的阴极和控制极相连。/n
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