[发明专利]拍摄装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201610076675.3 | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN105870139A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 后藤洋太郎 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;王娟娟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种拍摄装置及其制造方法，其中，绝缘衬层(LL1～LL4)在像素区域(GAR)的外侧的区域、且在像素区域(GAR)的4个角部(AO)之中的至少一个角部(AO)的对顶角的区域(OFR)内，具有除去了绝缘衬层(LL1～LL4)的像素外去除区域(OPR)。 | ||
| 搜索关键词： | 拍摄 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种拍摄装置，具有：半导体衬底，其具有主表面，且在所述主表面上具有矩形的像素区域；多个光电转换元件，其在所述像素区域中，形成在所述半导体衬底上；含铜的布线层，其形成在所述多个光电转换元件之上；以及含氮的绝缘衬层，其覆盖所述布线层的上表面，所述绝缘衬层在所述像素区域的外侧的区域、且在所述像素区域的4个角部之中的至少一个角部的对顶角的区域内，具有除去了所述绝缘衬层的像素外去除区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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