[发明专利]一种肖特基二极管在审
| 申请号： | 201610075438.5 | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN105609570A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 黄仲濬;蒋文甄 | 申请（专利权）人： | 泰州优宾晶圆科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 225500 江苏省泰州市姜*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种肖特基二极管，涉及二极管领域，包括上接触层、下接触层和钝化层，所述上接触层包括半导体基层和肖特基接触层，所述肖特基接触层包括半导体层和金属层，所述半导体基层、半导体层和金属层自上而下层叠设置，所述下接触层包括连接介质层和平面接触体，所述连接介质与金属层粘接，所述钝化层包裹于上接触层和下接触层的两侧，该种肖特基二极管可广泛适用于各种保护二极管的使用场合，且可快速切换，值得推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管，其特征在于，包括上接触层、下接触层和钝化层，所述上接触层包括半导体基层和肖特基接触层，所述肖特基接触层包括半导体层和金属层，所述半导体基层、半导体层和金属层自上而下层叠设置，所述下接触层包括连接介质层和平面接触体，所述连接介质与金属层粘接，所述钝化层包裹于上接触层和下接触层的两侧。
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