[发明专利]适用于转印的无机半导体薄膜功能单元的制备方法

摘要

本发明公开了一种适用于转印的无机半导体薄膜功能单元的制备方法，该制备方法包括生长带有牺牲层的无机半导体外延片，传统功能单元制备；牺牲层钻蚀；涂覆柔性聚合物材料及其图形化；腐蚀牺牲层；完成适用于转印的超薄无机半导体功能单元制备。本发明制备的无机半导体功能单元具有厚度小、结构有序可控、重复性好、制作成本低、操作简单及易于转印等优点。

主权项

适用于转印的无机半导体薄膜功能单元的制备方法，包括如下步骤：步骤1：使用材料生长技术，在无机半导体衬底和功能单元外延层之间生长含有牺牲层材料的外延片；步骤2：使用传统半导体器件加工技术，制造半导体功能单元阵列，形成由衬底、牺牲层和无机半导体薄膜功能单元阵列组成的基片；步骤3：利用光刻掩膜技术，腐蚀无机半导体功能单元周边预定位置处的牺牲层，在所述无机半导体薄膜功能单元周边预定位置处形成孔洞；所述孔洞为形成在所述无机半导体薄膜功能单元周边的2个、3个、4个或大于4个的钻蚀孔洞；步骤4：旋涂柔性聚合物材料，并对其进行热处理，通过光刻刻蚀技术使其图形化，使所述柔性聚合物材料包覆形成在所述无机半导体薄膜功能单元周边的孔洞中；步骤5：利用牺牲层的腐蚀液，钻蚀掉残余的牺牲层，形成由所述柔性聚合物材料支撑的无机半导体薄膜功能单元阵列。