[发明专利]一种可见光响应的磁性钽酸钠及其制备方法有效
| 申请号： | 201610048446.0 | 申请日： | 2016-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN105741999B | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 王芳;张利国;郝爱琴;王朱良;许小红;班培培 | 申请（专利权）人： | 山西师范大学 |
| 主分类号： | H01F1/40 | 分类号： | H01F1/40 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所32207 | 代理人： | 卢亚丽 |
| 地址： | 041004*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及磁性半导体，特指一种可见光响应的磁性钽酸钠及其制备方法。将五氧化二钽(Ta2O5)粉体与氢氧化钠水溶液充分混合，得到强碱条件下的Ta2O5悬浊液；向上述悬浊液中加入M掺杂源；将步骤(2)所得悬浊液置于高压反应釜中，在180‑280℃下反应6‑24h；所述步骤(3)反应结束后，冷却至室温，洗涤反应产物并烘干得到NaTa1‑xMxO3磁性钽酸钠粉体。通过掺杂能够使得NaTaO3的吸收波长扩展到可见光区，并呈现铁磁性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可见光 响应 磁性 钽酸钠 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种可见光响应的磁性钽酸钠，其特征在于：所述可见光响应的磁性钽酸钠的分子式为NaTa1‑xMxO3，掺杂源M为Mn、Fe或Co，通过掺杂能够使得NaTaO3吸收波长扩展到可见光区，并呈现铁磁性，能够作为磁性半导体制备节能半导体存储器件，当掺杂源M为Mn或Co时，表现低温铁磁性；当掺杂源M为Fe时，表现室温铁磁性；具体而言：所述的NaTa1‑xMxO3为NaTa0.95Mn0.05O3，使NaTaO3的吸收波长扩展到可见光区，吸收带边由395nm红移到605nm；NaTa0.95Mn0.05O3在5K时表现出明显的铁磁性，其矫顽力Hc达到265Oe，饱和磁化强度Ms为0.60emu/g；所述的NaTa1‑xMxO3为NaTa0.95Fe0.05O3，使NaTaO3的吸收波长扩展到可见光区，吸收带边由395nm红移到670nm；NaTa0.95Fe0.05O3在300K时表现出明显的铁磁性，其矫顽力Hc达到620Oe，饱和磁化强度Ms为0.06emu/g；所述的NaTa1‑xMxO3为NaTa0.95Co0.05O3，使NaTaO3的吸收波长扩展到可见光区，吸收带边由395nm红移到800nm以上；NaTa0.95Co0.05O3在5K时表现出明显的铁磁性，其矫顽力Hc为256Oe，饱和磁化强度Ms为0.46emu/g；所述的NaTa1‑xMxO3为NaTa0.6Fe0.4O3，使NaTaO3的吸收波长扩展到可见光区，吸收带边由395nm红移到785nm；NaTa0.6Fe0.4O3在300K时表现出明显的室温铁磁性，其矫顽力Hc为720Oe，饱和磁化强度Ms为0.24emu/g。
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