[发明专利]晶体管及显示设备

摘要

本发明涉及晶体管及显示设备。具体地说提供一种具有有利的电特性和高可靠性的晶体管以及包括该晶体管的显示设备。该晶体管是将氧化物半导体用于沟道区而形成的底栅晶体管。经过通过热处理进行的脱水或脱氢的氧化物半导体层被用作活动层。该活动层包括微晶化的浅表部分的第一区以及其余部分的第二区。通过使用具有该结构的氧化物半导体层，能够抑制归因于湿气进入浅表部分或者氧自浅表部分排除的转变为n型以及寄生沟道的产生。另外，还能够降低在氧化物半导体层与源极和漏极电极之间的接触电阻。

主权项

一种半导体装置，包括：栅极电极；在所述栅极电极之上的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层之上的氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层之上的源极电极；以及在所述氧化物半导体层之上的漏极电极，其中所述氧化物半导体层包括第一区以及所述第一区上的第二区，其中所述第一区包含非晶，其中所述第二区包括沿垂直于所述氧化物半导体层的表面的方向的c轴取向的结晶，其中所述源极电极包括与所述第二区接触的区域，其中所述漏极电极包括与所述第二区接触的区域，其中所述第一区包括与所述栅极电极重叠的区域，并且其中所述第二区包括与所述栅极电极重叠的区域。