[发明专利]微纳机电晶圆的圆片级封装方法及结构在审
| 申请号： | 201610040115.2 | 申请日： | 2016-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN106986300A | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 顾杰斌;刘冰杰;李昕欣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;湖州中微科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种微纳机电晶圆的圆片级封装方法及结构，该结构包括盖板，包括一硅片；硅片正面制作有保护MEMS晶圆正面微机械部件的凹槽，硅片中制作有硅通孔；硅通孔的表面形成有绝缘层；MEMS晶圆，其正面的电极上制造有金属焊盘；MEMS晶圆的正面与盖板的正面键合；所述金属焊盘与所述硅通孔的位置相对应，且所述金属焊盘至少覆盖所述硅通孔的一部分；硅通孔中具有利用液态金属微孔填充技术填充的液态金属；液态金属与金属焊盘键合；MEMS晶圆电极至盖板背面电互连。本发明采用液态金属微孔填充技术对MEMS晶圆进行圆片级封装，大大缩短了TSV的填充时间和制造成本，节省了传统的金属引线键合工艺；在MEMS晶圆电极上预设了金属焊盘保证了封装后的电性连接成功率。 | ||
| 搜索关键词： | 机电 圆片级 封装 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种微纳机电晶圆的圆片级封装方法，其特征在于，所述微纳机电晶圆的圆片级封装方法包括：在一硅片的正面制作保护MEMS晶圆正面微机械部件的凹槽，在所述硅片中制作贯通硅片的正面和背面的硅通孔，在所述硅通孔侧壁形成绝缘层，得到盖板；在所述MEMS晶圆正面的电极上制作金属焊盘；将所述盖板的正面和所述MEMS晶圆的正面键合，其中，所述金属焊盘与所述硅通孔的位置相对应，且所述金属焊盘至少覆盖所述硅通孔的一部分；利用液态金属微孔填充技术对所述硅通孔进行填充，使填充的液态金属与所述金属焊盘键合，实现从所述MEMS晶圆电极至盖板背面的电互连。
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