[发明专利]毫秒退火(DSA)的边缘保护有效
| 申请号： | 201610031475.6 | 申请日： | 2009-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN105514001B | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 布莱克·凯尔梅尔;罗伯特·C·麦金托什;戴维·D.L·拉马尼亚克;亚历山大·N·勒纳;阿布拉什·J·马约尔;约瑟夫·尤多夫斯凯 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国,赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种对一基板进行热处理的方法与设备。基板设置在一处理腔室中，而处理腔室配置成通过将电磁能导引朝向基板的表面而进行热处理。提供有一能量阻挡器以阻挡导引朝向基板的能量的至少一部分。阻挡器防止了当入射能量接近基板边缘时所产生的热应力对基板的损害。 | ||
| 搜索关键词： | 毫秒 退火 dsa 边缘 保护 | ||
【主权项】：
一种用于在处理腔室中处理基板的设备，包括：基板支撑件；能量源，将电磁能导引朝向该基板支撑件；以及一个或多个能量阻挡器，设置在所述能量源和所述基板支撑件之间以至少阻挡所述电磁能的周围部分，其中所述一个或多个能量阻挡器的每个包括用于与升举构件接合的一个或多个凸出部，且所述升举构件包括配置成与所述凸出部接合的一个或多个升举销。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
