[发明专利]光检测装置

摘要

本发明的半导体光检测元件(10)将包含以盖革模式动作的多个雪崩光电二极管(APD)、相对于各雪崩光电二极管(APD)串联连接的灭弧电阻(R1)、及并联连接有灭弧电阻(R1)的信号线(TL)的光电二极管阵列(PDA)作为一个信道且具有多个信道。搭载基板(20)与各信道对应的多个电极(E9)配置于主面(20a)侧，并且处理来自各信道的输出信号的信号处理部(SP)配置于主面(20b)侧。在半导体基板(1N)中，在各信道形成有与信号线(TL)电连接的贯通电极(TE)。贯通电极(TE)与电极(E9)经由凸块电极(BE)而电连接。

主权项

一种半导体光检测元件，其特征在于，是具有包含相互相对的第一及第二主面的半导体基板的半导体光检测元件，所述半导体光检测元件将光电二极管阵列作为一个信道来具有，所述光电二极管阵列包含以盖革模式动作并且形成于所述半导体基板内的多个雪崩光电二极管、相对于各所述雪崩光电二极管串联连接并且配置于所述半导体基板的第一主面侧的多个灭弧电阻、及并联连接有所述多个灭弧电阻并且配置于所述半导体基板的所述第一主面侧的信号线，在所述半导体基板，在所述信道形成有与经由所述多个灭弧电阻而电连接有所述多个雪崩光电二极管的所述信号线电连接且自所述第一主面侧贯通至所述第二主面侧为止的贯通电极，所述贯通电极位于所述信道的中央区域。