[发明专利]一种电容式复合传感器及其制造方法有效
申请号: | 201610031107.1 | 申请日: | 2016-01-18 |
公开(公告)号: | CN105883713B | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
发明(设计)人: | 周志健;朱二辉;陈磊;杨力建;邝国华 | 申请(专利权)人: | 上海芯赫科技有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;B81C99/00;B81B3/00;G01D5/24;G01D18/00 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 孟金喆,胡彬 |
地址: | 201800 上海市嘉定*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种电容式复合传感器及其制造方法。所述方法包括在衬底中形成独立的第一空腔和第二空腔,所述第一空腔上方形成第一悬空薄膜,所述第二空腔上方形成悬空薄膜区域,所述悬空薄膜区域内包括至少一个第二悬空薄膜;在所述第一悬空薄膜上形成与所述第一悬空薄膜电连接的第一电极,在所述悬空薄膜区域内的每个第二悬空薄膜上形成与之电连接的第二电极,以及在衬底上方形成与所述衬底电连接的衬底电极。本发明还提供了电容式复合传感器,实现了工艺流程简单且可以避免粘附现象的效果,实现了电容式复合传感器可以具有晶圆级自检测功能。 | ||
搜索关键词: | 一种 电容 复合 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种电容式复合传感器制造方法,其特征在于,包括:在衬底中形成独立的第一空腔和第二空腔,第一空腔上方形成第一悬空薄膜,第二空腔上方形成悬空薄膜区域,悬空薄膜区域内包括至少一个第二悬空薄膜,衬底与第一悬空薄膜、衬底和第二悬空薄膜间或者每个第二悬空薄膜之间形成第一凹槽且通过第一凹槽间隙结构连接;进行电隔离处理,在第一悬空薄膜表面、悬空薄膜区域表面以及衬底表面形成表面电隔离层,并使第一凹槽间隙结构绝缘化;形成掩膜层,其中,掩膜层将第一凹槽密封;图形化刻蚀掩膜层和表面电隔离层,分别在第一悬空薄膜上方、悬空薄膜区域内每个悬空薄膜上方以及衬底上方形成第二凹槽;形成导电层,填充并覆盖第二凹槽;在第二凹槽周围刻蚀导电层和掩膜层,形成电隔离沟槽;沉积绝缘层,并在电隔离沟槽区域内刻蚀绝缘层,形成分别位于第一悬空薄膜上方、悬空薄膜区域内每个第二悬空薄膜上方以及衬底上方的第三凹槽;形成第一电极、悬空薄膜区域内的每个第二悬空薄膜上的第二电极以及衬底电极,第一电极、第二电极以及衬底电极分别填充覆盖第一悬空薄膜上方、悬空薄膜区域内的每个第二悬空薄膜上方以及衬底上方对应的第三凹槽;图形化刻蚀绝缘层、导电层、掩膜层、电隔离层和第二悬空薄膜,用于释放电容式复合传感器的可动结构。
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