[发明专利]一种多通道可调谐Tamm等离子体完美吸收器

摘要

本发明公开了一种多通道可调谐Tamm等离子体完美吸收器，包括：MIM波导和波导内的金属‑DBR‑金属插层‑DBR‑金属结构，其中金属‑DBR‑金属插层‑DBR‑金属结构两侧金属厚度不同，以金属插层为中心，其两侧DBR的周期数分别为N1和N2。本发明是一种新颖的多通道可调谐Tamm等离子体完美吸收器，TM偏振光由左侧正入射，通过MIM结构，可以在波导内高效激发出Gap‑SPPs，而处于波导内的金属‑DBR‑金属插层‑DBR‑金属结构可以激发出多重光学Tamm态，并相互耦合形成多个劈裂的吸收峰，实现多通道的窄带完美吸收。本发明的表面等离子体吸收器结构紧凑，易于加工和高质量制备，在危险物质检测、高光谱多频成像、相干热辐射和隐身技术等领域有较好的应用前景。

主权项

1.一种多通道可调谐Tamm等离子体完美吸收器，其特征在于包括：MIM波导和波导内的金属‑DBR‑金属插层‑DBR‑金属结构，金属‑DBR‑金属插层‑DBR‑金属结构两侧金属厚度不同，以金属插层为中心，其两侧DBR的周期数分别为N1和N2，两个独立的DBR周期数不相同，即N1≠N2；所述金属‑DBR‑金属插层‑DBR‑金属结构中薄金属端为入射端，厚金属端为出射端；所述金属‑DBR‑金属插层‑DBR‑金属结构中薄金属的厚度为20nm，厚金属的厚度为70nm左右；所述DBR由高折射率介质A和低折射率介质B构成，折射率分别为n_A，n_B，厚度分别为d_A，d_B，ω₀为Bragg频率，所述介质A为GaAs或TiO₂，所述介质B为Al₂O₃或SiO₂；可以通过改变金属插层的个数来调节通道数目。