[发明专利]金属线栅偏振器及其制作方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201610027707.0 申请日: 2016-01-15
公开(公告)号: CN105487160B 公开(公告)日: 2018-12-18
发明(设计)人: 叶志杰;彭锐;王欣欣;贾文斌;黄磊;许凯 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
主分类号: G02B5/30 分类号: G02B5/30;G03F7/00
代理公司: 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 代理人: 李莎
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及显示技术领域,公开了一种金属线栅偏振器制作方法,包括步骤:S1:在衬底基板上制作出间距为P,宽度为W的辅助线栅;S2:利用原子层沉积方式在辅助线栅上覆盖一层厚度大于P/2‑W的金属薄膜;S3:刻蚀辅助线栅顶部和沟槽对应区域的金属薄膜;S4:去掉辅助线栅,形成间距为P/2,宽度为P/2‑W的金属线栅,以形成金属线栅偏振器。还公开了一种金属线栅偏振器及显示装置。本发明的金属线栅偏振器制作方法制作的偏振器的金属线栅之间的间距可以为现有方法制作的偏振器的金属线栅的间距的一半,因此本发明的金属线栅偏振器的整体偏振性能得到了大大的提升。
搜索关键词: 金属线栅偏振器 金属线栅 辅助线 制作 金属薄膜 显示装置 偏振器 原子层沉积 衬底基板 刻蚀辅助 偏振性能 层厚度 线栅 覆盖
【主权项】:
1.一种金属线栅偏振器制作方法,其特征在于,包括步骤:S1:在衬底基板上制作出间距为P,宽度为W的辅助线栅;S2:利用原子层沉积方式在辅助线栅上覆盖一层厚度大于P/2‑W的金属薄膜;S3:刻蚀辅助线栅顶部和沟槽对应区域的金属薄膜;S4:去掉辅助线栅,形成间距为P/2,宽度为P/2‑W的金属线栅,以形成金属线栅偏振器。
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