[发明专利]沟槽型超级结的制造方法

摘要

本发明公开了一种沟槽型超级结的制造方法，包括步骤：步骤一、提供表面形成有N型外延层的半导体衬底。步骤二、在N型外延层中形成多个沟槽。步骤三、在沟槽的底部表面和侧面形成含碳硅外延层。步骤四、在沟槽中填充P型外延层。步骤五、进行化学机械研磨工艺将所述沟槽外部的P型外延层去除形成超级结。本发明能有效增加N型薄层的导电通道的有效宽度，提升器件性能，最大化利用工艺能力。

主权项

一种沟槽型超级结的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成有N型外延层；步骤二、采用光刻刻蚀工艺在所述N型外延层中形成多个沟槽；步骤三、采用外延生长在所述沟槽的底部表面和侧面形成含碳硅外延层；步骤四、采用外延生长工艺在形成有所述含碳硅外延层的所述沟槽中填充P型外延层，所述P型外延层同时延伸到所述沟槽外部的所述N型外延层表面；所述P型外延层的掺杂元素为硼，通过设置所述含碳硅外延层阻挡所述P型外延层中的硼外扩到所述N型外延层中；步骤五、进行化学机械研磨工艺，所述化学机械研磨工艺将所述沟槽外部的所述P型外延层去除、将所述沟槽区域的所述P型外延层的表面和所述沟槽外的表面相平；由填充于所述沟槽中的所述含碳硅外延层和所述P型外延层组成P型薄层，由各所述沟槽之间的所述N型外延层组成N型薄层，由所述N型薄层和所述P型薄层交替排列组成超级结。