[发明专利]一种片式导电聚合物钽电容器阴极引导层的制造方法在审
| 申请号： | 201610023533.0 | 申请日： | 2016-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN105609313A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 曾台彪;齐兆雄;吴维芬;曾宪旦;方金富 | 申请（专利权）人： | 深圳顺络电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042;C09D183/04;C09D7/61 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 方艳平 |
| 地址： | 518110 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种片式导电聚合物钽电容器阴极引导层的制造方法，包括以下步骤：将表面附着Ta |
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| 搜索关键词： | 一种 导电 聚合物 钽电容 阴极 引导 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种片式导电聚合物钽电容器阴极引导层的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：将表面附着Ta2 O5 介质层的阳极钽块浸渍于处理液中，浸渍1～20min后以0.01～5.0mm/min的速度取出，在20～30℃的温度下放置5～30min，并在50～260℃下干燥成膜形成片式导电聚合物钽电容器阴极引导层；其中所述处理液包含重量百分比为0.005～2.0％的硅烷偶联剂、0.01～0.1％的气相二氧化硅、3～15％的水和余量的溶剂。
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