[发明专利]离子迁移谱装置及方法在审
| 申请号： | 201610021240.9 | 申请日： | 2016-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN106971935A | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 张小强;孙文剑 | 申请（专利权）人： | 株式会社岛津制作所 |
| 主分类号： | H01J49/42 | 分类号： | H01J49/42;H01J49/04 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 高彦 |
| 地址： | 日本国京*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的离子迁移谱装置及方法，所述离子迁移谱装置包括离子源，用于提供离子；离子导引装置，其包括内部连通的至少三端第一导引端、第二导引端和第三导引端，离子能从其中任意一端进入或离开所述离子导引装置；所述第一导引端供离子源提供的离子进入；所述第三导引端连通于后级装置；与所述第二导引端一一对应的至少一个离子迁移管，用于传输离子和/或进行离子迁移率分析，每个离子迁移管包括内部连通的第一迁移管端和第二迁移管端，所述第二迁移管端连通于一第二导引端；离子存储装置，与每个离子迁移管的第一迁移管端相连通，用于存储离子或逐出离子。通过选择不同的离子路径，可进行离子迁移谱分析或进行直接离子传输。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 迁移 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种离子迁移谱装置，其特征在于，包括：离子源，用于提供离子；离子导引装置，其包括：内部连通的至少三端：第一导引端、第二导引端和第三导引端，离子能从其中任意一端进入或离开所述离子导引装置；所述第一导引端供离子源提供的离子进入；所述第三导引端连通于后级装置；与所述第二导引端一一对应的至少一个离子迁移管，用于传输离子和/或进行离子迁移率分析，每个离子迁移管包括内部连通的第一迁移管端和第二迁移管端，所述第二迁移管端连通于一第二导引端；离子存储装置，与每个离子迁移管的第一迁移管端相连通，用于存储离子或逐出离子。
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