[发明专利]一种阶梯型厚栅氧化层的制作方法

摘要

公开了一种阶梯型厚栅氧化层的制作方法。该制作方法可以减少阶梯型厚栅氧化层制作工艺中的掩膜数，降低高压BCD工艺中高压器件的制作成本。此外，采用该制作方法，阶梯型厚栅氧化层的尺寸易于控制，有利于改善整个高压器件的性能，且厚栅氧化层的总厚度可以达到3000埃以上，可承受更高的电压。

主权项

1.一种阶梯型厚栅氧化层的制作方法，包括：在半导体衬底上形成第一衬垫氧化层；在第一衬垫氧化层上形成氮化层；在氮化层上形成第二衬垫氧化层；在第二衬垫氧化层上淀积多晶硅；通过掩膜开口从多晶硅的露出面开始蚀刻，制作贯穿多晶硅的多晶硅开口；从第二衬垫氧化层的露出面开始蚀刻，制作贯穿第二衬垫氧化层的氧化层开口；从氮化层的露出面开始蚀刻，制作贯穿氮化层的氮化层开口，其中氮化层开口的宽度大于氧化层开口的宽度；向氮化层开口、氧化层开口以及多晶硅开口构成的阶梯型沟槽内淀积填充氧化物；去除淀积在多晶硅表面的填充氧化物；去除剩余的多晶硅；去除剩余的第二衬垫氧化层；去除剩余的氮化层；以及去除暴露的第一衬垫氧化层；其中剩余的第一衬垫氧化层和剩余的填充氧化层构成了阶梯型厚栅氧化层，所述阶梯型厚栅氧化层的厚度等于剩余的第一衬垫氧化层和填充氧化层的厚度之和。