[发明专利]对准标记及掩膜版在审
申请号: | 201610012639.0 | 申请日: | 2016-01-09 |
公开(公告)号: | CN105467747A | 公开(公告)日: | 2016-04-06 |
发明(设计)人: | 李冲;丰亚洁;何艳;吕本顺;郭霞 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 刘萍 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种对准标记和掩膜版,其中对准标记包括基准标记单元和对准标记单元,基准标记单元包括角度基准标记单元、纵向基准标记单元和横向基准标记单元,该对准标记单元包括角度对准标记单元、纵向对准标记单元和横向对准标记单元,其中,该角度基准标记单元为十字形状,该角度对准标记单元包括4个角度对准标记元素,该4个角度对准标记元素分别与角度基准标记的4个直角接近配合,用以在旋转角度参量上精确对准。本发明适用于微电子流程中任意图形的套刻工艺中,可以将套刻的掩膜版与待加工的样品精确对准,具有广泛的实用意义。 | ||
搜索关键词: | 对准 标记 掩膜版 | ||
【主权项】:
一种对准标记,包括基准标记单元和对准标记单元,其特征在于,所述基准标记单元包括角度基准标记单元、纵向基准标记单元和横向基准标记单元,所述对准标记单元包括角度对准标记单元、纵向对准标记单元和横向对准标记单元,其中,所述角度基准标记单元为十字形状,所述角度对准标记单元包括4个角度对准标记元素,所述4个角度对准标记元素分别与所述角度基准标记的4个直角配合。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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