[发明专利]半导体器件的制造方法和半导体器件

摘要

本发明的各个实施例涉及半导体器件的制造方法和半导体器件。本发明使得能够通过使用氮化物半导体来改进半导体器件的特性。在栅极电极上方形成导电膜，该栅极电极在衬底上方、其间中介有层间层绝缘膜；并且通过蚀刻该导电膜来形成源极电极和漏极电极，该源极电极在栅极电极的一侧耦合至阻挡层，该漏极电极在栅极电极的另一侧耦合至阻挡层。在这种情况下，蚀刻源极电极，以便具有延伸超过栅极电极上方至漏极电极之侧并且在栅极电极上方具有间隙(开口)的形状。接着，对衬底进行氢气退火。这样，通过在源极电极的源极场板部分处形成间隙，可以在氢气退火过程中、在其中形成有沟道的区域中，有效地供给氢气。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：(a)在衬底上方形成第一氮化物半导体层；(b)在所述第一氮化物半导体层之上形成第二氮化物半导体层，所述第二氮化物半导体层具有小于所述第一氮化物半导体层的电子亲和势；(c)通过蚀刻所述第二氮化物半导体层和所述第一氮化物半导体层而形成沟槽，所述沟槽穿透所述第二氮化物半导体层、并且到达所述第一氮化物半导体层的中部；(d)形成栅极电极，所述栅极电极形成在所述沟槽之上、其间中介有栅极绝缘膜，并且所述栅极电极在第一方向上延伸；(e)在所述栅极电极之上形成导电膜，其间中介有第一绝缘膜；(f)通过蚀刻所述导电膜：形成第一电极，所述第一电极在所述栅极电极的一侧耦合至所述第二氮化物半导体层；并且形成第二电极，所述第二电极在所述栅极电极的另一侧耦合至所述第二氮化物半导体层；以及(g)在所述步骤(f)之后，在氢气气氛下对所述衬底进行热处理，其中在所述步骤(f)中形成的所述第一电极，在与所述第一方向相交的第二方向上、延伸超过所述栅极电极上方、至所述第二电极之侧，并且具有开口。