[发明专利]一种人工生长大颗粒金刚石单晶的方法及装置在审
| 申请号： | 201610006053.3 | 申请日： | 2016-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN105648526A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 王笃福;王盛林;王希江;潘子明;王希玮;徐昌 | 申请（专利权）人： | 济南中乌新材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B11/14 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 250101 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种人工生长大颗粒金刚石单晶的方法及装置，所述方法是采用粒径0.5-1mm的金刚石晶种的一个{100}面作为生长面，将金刚石晶种置于金属触媒的底部，加热使石墨与金属触媒达到共晶点温度20-60℃，并严格保持该温度，在5.6GPa-5.9GPa压力下，使晶种的{100}面的生长；所述装置包括导电片、导电石墨环、耐火保温套、石墨管、绝缘槽和导电石墨片；导电石墨片和绝缘槽设置在石墨管内，导电石墨片与绝缘槽形成金刚石单晶生长的封闭空间，石墨管的外侧设置有耐火保温套，石墨管的上端和下端均设置有导电片。本发明有效避免了大颗粒金刚石单晶生长过程中的金属夹带现象，生长出了粒径大于10mm的大颗粒金刚石单晶，大幅度提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 人工 生长 颗粒 金刚石 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种人工生长大颗粒金刚石单晶的方法，其特征是：采用粒径0.5‑1mm的金刚石晶种的一个{100}面作为生长面，将金刚石晶种置于金属触媒的底部；在晶体生长之前，加热使石墨与金属触媒达到共晶点温度，然后逐渐提高温度至高于石墨与金属触媒共晶点温度20‑60℃，并严格保持该温度，在5.6GPa‑5.9GPa高压环境下，使晶种的{100}面的生长始终处于优势。
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