[发明专利]具有利用嵌入微电子衬底中的微电子桥连接的多个微电子器件的微电子结构在审
| 申请号： | 201580084531.6 | 申请日： | 2015-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN108292654A | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | E.李;T.戈塞林;Y.富田;S.利夫;A.艾坦;M.萨尔塔斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;申屠伟进 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种微电子结构包括：微电子衬底，其具有第一表面和从微电子衬底第一表面延伸到衬底中的腔；附接至微电子衬底第一表面的第一微电子器件和第二微电子器件；以及设置在微电子衬底腔内且附接至第一微电子器件和第二微电子器件的微电子桥。在一个实施例中，该微电子结构可以包括从第一微电子器件和第二微电子器件形成的重建晶圆。在另一实施例中，助焊剂材料可以在第一微电子器件和微电子桥之间以及在第二微电子器件和微电子桥之间延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 微电子器件 微电子 衬底 微电子结构 第一表面 附接 桥连接 助焊剂 延伸 晶圆 腔内 嵌入 重建 | ||
【主权项】：
1.一种形成微电子结构的方法，包括：形成第一和第二微电子器件，其中该第一和第二微电子器件中的每一个都包括在其有源表面上的多个高密度互连结构和多个较低密度互连结构；将微电子桥附接至第一微电子器件的多个高密度互连结构和第二微电子器件的多个高密度互连结构；形成微电子衬底，所述微电子衬底具有在其中限定的从微电子衬底的第一表面延伸的腔，其中该腔包括至少一个侧壁和底表面；以及将第一微电子器件的多个较低密度互连结构和第二微电子器件的多个较低密度互连结构电气附接至微电子衬底的第一表面，其中该微电子桥延伸至微电子衬底腔中。
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