[发明专利]半桥式功率半导体模块及其制造方法有效
| 申请号： | 201580075987.6 | 申请日： | 2015-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN107210290B | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 谷本智 | 申请（专利权）人： | 株式会社日产ARC |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半桥式功率半导体模块(1)具有绝缘配线基板(15)，该绝缘配线基板(15)包括正极配线导体(12H)、桥式配线导体(12B)、负极配线导体(21L)。在正极配线导体(12H)以及桥式配线导体(12B)上，高侧功率半导体装置(13HT)以及低侧功率半导体装置(13LT)的背面电极相接合。高侧功率半导体装置(13HT)以及低侧功率半导体装置(13LT)的表面电极经由连接单元(18BT、18LT)连接于桥式配线导体(12B)以及负极配线导体(21L)。流经正极配线导体(12H)以及桥式配线导体的主电流与流经连接单元(18BT)以及(18LT)的主电流处于邻接相反平行通过电流的关系。 | ||
| 搜索关键词： | 半桥式 功率 半导体 模块 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种开关控制半桥式功率半导体模块，具备：绝缘配线基板，其包括一张绝缘板和在所述绝缘板上或该绝缘板的上方相互电绝缘地配置的正极配线导体、桥式配线导体、多个负极配线导体；一个以上的高侧功率半导体装置，其背面电极接合于所述正极配线导体上；一个以上的低侧功率半导体装置，其背面电极接合于所述桥式配线导体上；直立型多脚桥式端子，其连接于所述桥式配线导体；直立型多脚高侧端子，其配置于所述高侧功率半导体装置与所述直立型多脚桥式端子之间，并连接于所述正极配线导体；直立型多脚低侧端子，其配置于所述直立型多脚桥式端子与所述低侧功率半导体装置之间，并连接于所述多个负极配线导体；高侧连接单元，其将所述高侧功率半导体装置的表面主电极与所述直立型多脚桥式端子连接；低侧连接单元，其将所述低侧功率半导体装置的表面主电极与所述直立型多脚低侧端子连接。
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