[发明专利]电子器件用外延基板、电子器件、电子器件用外延基板的制造方法及电子器件的制造方法有效
| 申请号： | 201580072647.8 | 申请日： | 2015-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN107112242B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 萩本和德;篠宫胜;土屋庆太郎;后藤博一;佐藤宪;鹿内洋志 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司;三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L21/20;H01L21/336;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/812 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李英艳;张永康 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明是一种电子器件用外延基板，其具有：硅系基板；AlN初始层，其被设置于该硅系基板上；以及，缓冲层，其被设置于该AlN初始层上；前述AlN初始层的位于前述缓冲层侧的表面的粗糙度Sa为4nm以上。由此，提供了一种电子器件用外延基板，其能够抑制缓冲层构造的V形凹坑，并改善制作电子器件时的纵向漏泄电流特性。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 外延 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电子器件用外延基板，其特征在于，具有：硅系基板；AlN初始层，被设置于前述硅系基板上；以及，缓冲层，被设置于前述AlN初始层上，前述AlN初始层的位于前述缓冲层侧的表面的粗糙度Sa为4nm以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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