[发明专利]双向功率半导体器件有效
| 申请号： | 201580069494.1 | 申请日： | 2015-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN107258018B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | M.拉希莫;M.阿诺德;U.维姆拉帕蒂 | 申请（专利权）人： | ABB瑞士股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/747;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市汉坤律师事务所 11602 | 代理人： | 王菲;张涛 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供具有在两个电流方向上的完全关断控制以及改进的电和热特性的双向功率半导体器件（1），该器件（1）包括彼此交替的多个第一栅极换向晶闸管（GCT）单元（20）和多个第二GCT单元（40），每个第一GCT单元（20）的第一基极层（23）通过第一分离区域（50）与相邻的第二GCT单元（40）的相邻的第二阳极层（45）分离，并且每个第二GCT单元（40）的第二基极层（43）通过第二分离区域（60）与相邻的第一GCT单元（20）的相邻的第一阳极层（25）分离。 | ||
| 搜索关键词： | 双向 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种带有具有第一主侧（11）和与所述第一主侧（11）平行布置的第二主侧（12）的晶圆（10）的双向功率半导体器件（1），所述双向功率半导体器件（1）包括至少一个第一栅极换向晶闸管单元（20）和至少一个第二栅极换向晶闸管单元（40），其中每个第一栅极换向晶闸管单元（20）包括以从所述第一主侧（11）到所述第二主侧（12）的顺序的下列层：第一阴极电极（21）;第一导电类型的第一阴极层（22）;与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第一基极层（23）;所述第一导电类型的第一漂移层（24）;所述第二导电类型的第一阳极层（25）;以及第一阳极电极（26），其中每个第一栅极换向晶闸管单元(20)还包括第一栅极电极(27)，其布置成横向于所述第一阴极层（22）并且通过所述第一基极层（23）与所述第一阴极层（22）分离，其中每个第二栅极换向晶闸管单元（40）包括以从所述第一主侧（11）到所述第二主侧（12）的顺序的下列层：第二阳极电极（46），所述第二导电类型的第二阳极层（45）;所述第一导电类型的第二漂移层（44）;所述第二导电类型的第二基极层（43）;所述第一导电类型的第二阴极层（42）;以及第二阴极电极（41），其中每个第二栅极换向晶闸管单元（40）还包括第二栅极电极（47），其布置成横向于所述第二阴极层（42）并且通过所述第二基极层（43）与所述第二阴极层（42）分离，其特征在于所述双向功率半导体器件（1）包括至少两个第一单元区，每个单元区包括第一栅极换向晶闸管单元（20），以及至少两个第二单元区，每个第二单元区包括第二栅极换向晶闸管单元（40），其中所述第一单元区与所述第二单元区交替，通过所述第一导电类型的第一分离区域（50）将第一单元区中的每个第一栅极换向晶闸管单元（20）的所述第一基极层（23）与第二单元区中的相邻的第二阳极层（45）分离，以及通过所述第一导电类型的第二分离区域（60）将第二单元区中的每个第二栅极换向晶闸管单元（40）的所述第二基极层（43）与第一单元区中的相邻的第一阳极层（25）分离。
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