[发明专利]熵能转移方法以及电路有效
| 申请号： | 201580069199.6 | 申请日： | 2015-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN107112759B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | D·R·卡弗;S·C·霍尔;S·W·雷诺兹 | 申请（专利权）人： | 卡弗科学有限公司 |
| 主分类号： | H02J3/32 | 分类号： | H02J3/32;H02J7/34 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国路易*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了用于使储存并且释放熵能的熵能储存装置(EESD)放电的方法的实施例。还公开了包括所述EESD的电路的实施例。所述方法包括：提供电路，其包括被充电至第一电压电平的EESD，所述EESD包括第一电极和第二电极，介电膜位于这两个电极之间，该介电膜包括熵材料，并且所述第一电极相对于所述第二电极带正电或负电；并且在该电路的第一操作模式下在放电时间段中施加反向极化电位至该EESD的第一电极，从而从该EESD供应功率至负载。在一些实施例中，所述方法包括利用交替的放电和恢复时间段对该EESD进行脉冲式放电。 | ||
| 搜索关键词： | 转移 方法 以及 电路 | ||
【主权项】：
一种从能量储存装置向负载供应能量的方法，包括：提供电路，所述电路包括被充电至第一电压电平的第一能量储存装置，所述第一能量储存装置包括第一电极和第二电极，介电膜位于第一电极与第二电极之间，所述介电膜包括熵材料，并且所述第一电极相对于所述第二电极带正电或带负电；以及在所述电路的第一操作模式下在放电时间段内向所述第一能量储存装置的所述第一电极施加反向极化电位，其中，所述反向极化电位小于所述第一电压电平并且小于由所述第一能量储存装置在高阻抗状态中所产生的电压，从而从所述第一能量储存装置向连接至所述第一能量储存装置的所述第二电极的负载供应功率。
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