[发明专利]共享位线MRAM的系统和方法有效
| 申请号： | 201580065136.3 | 申请日： | 2015-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN107004437B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | X·朱;X·李;S·H·康 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/18 | 分类号： | G11C7/18;G11C11/16;H01L27/22 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈炜;袁逸 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种STT磁性存储器，其包括毗邻列的STT磁性存储器元件，这些STT磁性存储器元件具有顶部电极和底部电极。共享位线耦合到至少两个毗邻列中的STT磁性存储器元件的顶部电极。毗邻列中的一列中的STT磁性存储器元件的底部电极选择性地耦合到一条源线，并且毗邻列之中的另一列中的STT磁性存储器元件的底部电极选择性地耦合到另一条源线。 | ||
| 搜索关键词： | 共享 mram 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种自旋转移矩(STT)磁性存储器，包括：多列STT磁性存储器元件，其中，各STT磁性存储器元件包括顶部电极和底部电极；多条共享位线，所述多条共享位线覆盖所述多列STT磁性存储器元件，其中，所述多条共享位线中的至少一条共享位线耦合到具有所述多列STT磁性存储器元件中的至少两列的组中的STT磁性存储器元件的顶部电极；以及多条源线，所述多条源线中的每条源线能够切换地耦合到所述多列STT磁性存储器元件中的对应一列中的STT磁性存储器元件的底部电极；其中，所述多条共享位线的至少子集中的每条共享位线耦合到具有所述多列STT磁性存储器元件之中的至少R个毗邻列的STT磁性存储器元件的对应不同组中的STT磁性存储器元件的顶部电极，其中，R是大于一的整数；其中，所述多列STT磁性存储器元件中的所述至少R个毗邻列、或所述多列STT磁性存储器元件中的另一至少R个毗邻列、或两者由中心到中心列间距间隔开，其中，所述多条共享位线中的至少两条共享位线彼此毗邻地延伸并且由共享位线间距间隔开，并且其中，所述共享位线间距是所述中心到中心列间距的大约R倍。
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