[发明专利]用于表面安装的双侧电路有效
| 申请号： | 201580057933.7 | 申请日： | 2015-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN107112243B | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 海姆·戈德柏格 | 申请（专利权）人： | 起源全球定位系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/50;H01L21/768;H01L23/522;H01L23/538;H01L25/065 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 以色列*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种形成一集成电路的方法，所述方法包括：提供一第一基板层，所述第一基板层具有一中间块及二侧块，所述二侧块位在所述中间块的二相对侧；组装一或多个电路元件在所述第一基板层的所述中间块的一顶侧及一底侧；从一基板制备出二支持块，所述二支持块符合所述二侧块的大小；将所述二支持块耦接于所述第一基板层位在所述二侧块下的底部以形成一第二基板层，所述第二基板层具有位在所述第一基板层的所述中间块下的中间部中的一空穴；及其中所述二侧块及所述二支持块包括多个通孔连接器，所述多个通孔连接器电性连接于所述第二基板层的一底侧及所述多个电路元件之间。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 表面 安装 电路 | ||
【主权项】：
一种形成一集成电路的方法，其特征在于：所述方法包含︰提供一第一基板层，所述第一基板层具有一中间块及二侧块，所述二侧块位在所述中间块的二相对侧；组装一或多个电路元件于所述第一基板层的所述中间块的一顶侧及一底侧上；从一基板制备出二支持块，所述二支持块符合所述二侧块的大小；将所述二支持块耦接于所述第一基板层位在所述二侧块下的底部以形成一第二基板层，所述第二基板层具有位在所述第一基板层的所述中间块下的中间部中的一空穴；及其中所述二侧块及所述二支持块包括多个通孔连接器，所述多个通孔连接器电性连接于所述第二基板层的一底侧及所述多个电路元件之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
