[发明专利]多个石墨烯层至多个目标基底的直接转移在审
申请号: | 201580057874.3 | 申请日: | 2015-07-14 |
公开(公告)号: | CN107112272A | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
发明(设计)人: | E·特雷奥西;A·锡达;V·巴勒莫;穆赫德·A·卡恩 | 申请(专利权)人: | 沙特基础工业全球技术公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;C01B32/194 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司11270 | 代理人: | 胡春光,张颖玲 |
地址: | 荷兰贝亨*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了制备包括石墨烯或其它2‑D材料的导电材料或活性材料的方法。该方法包括获得层叠体。层叠体包括由金属层分隔的一种或多种导电材料或2‑D材料,以及一种或多种基底材料。该层叠体可以经过金属去除工艺以获得两种导电材料或活性材料。第一导电材料或第一活性材料可以包括附着到第一活性层的第一基底层。第二导电材料或第二活性材料可以包括附着到第二活性层的第二基底层。所述第一活性层和第二活性层可以是导电石墨烯层。 | ||
搜索关键词: | 石墨 至多 目标 基底 直接 转移 | ||
【主权项】:
一种制备导电材料的方法,所述方法包括,(a)获得层叠体,所述层叠体包括第一基底层、附着到所述第一基底层的第一石墨烯层、附着到所述第一石墨烯层的金属层、附着到所述金属层的第二石墨烯层和附着到所述第二石墨烯层的第二基底层;(b)从所述层叠体中去除所述金属层;以及(c)获得两个导电材料,其中第一导电材料包括附着到所述第一石墨烯层的所述第一基底层,其中第二导电材料包括附着到所述第二石墨烯层的所述第二基底层,并且其中所述第一石墨烯层和所述第二石墨烯层是导电层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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