[发明专利]半导体装置、TFT背板、显示器及其制造方法

摘要

提供了一种TFT背板，该TFT背板包括具有氧化物有源层的至少一个TFT和具有多晶硅有源层的至少一个TFT。在本公开的实施方式中，实现有效区域中的像素电路的TFT中的至少一个是氧化物TFT(即，具有氧化物半导体的TFT)，而实现有效区域附近的驱动电路的TFT中的至少一个是LTPS TFT(即，具有多晶硅半导体的TFT)。

主权项

一种装置，该装置包括：基板，所述基板利用第一区域和第二区域来限定；低温多晶硅LTPS层，所述LTPS层被设置在所述第一区域中；第一绝缘层，所述第一绝缘层被设置在所述第一区域中的所述LTPS层上；金属氧化物层，所述金属氧化物层被设置在所述第一区域和所述第二区域中，所述第一区域中的所述金属氧化物层被设置在所述第一绝缘层上；第二绝缘层，所述第二绝缘层被设置在所述第一区域和所述第二区域中，所述第二绝缘层的在所述第二区域中的所述金属氧化物层上的至少一些部分比所述第二绝缘层的在所述第二区域中的所述金属氧化物层上的其它部分薄；多个接触孔，所述多个接触孔使所述第一区域中的所述LTPS层的源极/漏极区以及所述第二区域中的所述金属氧化层的源极/漏极区暴露；第一金属层，所述第一金属层在所述第一区域和所述第二区域中提供多个电极，所述第一区域中的所述第一金属层包括与所述LTPS层的暴露的源极/漏极区接触的源极/漏极，并且所述第二区域中的所述第一金属层包括与所述金属氧化物层的暴露的源极/漏极区接触的源极/漏极以及通过所述第二绝缘层的较薄部分与所述金属氧化物层绝缘的栅极；第三绝缘层，所述第三绝缘层覆盖所述第一区域和所述第二区域中的所述第一金属层；以及第二金属层，所述第二金属层经由穿过所述第一金属层与所述第二金属层之间的第三绝缘层的接触孔来与所述第一区域和所述第二区域中的源极/漏极中的至少一个接触。