[发明专利]非易失性分裂栅存储器装置及其操作方法有效
| 申请号： | 201580053591.1 | 申请日： | 2015-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN107077891B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | H.V.陈;H.Q.阮;N.杜 | 申请（专利权）人： | 硅存储技术公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/12;G11C16/14;G11C16/26 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;郑冀之 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有第一导电类型的半导体衬底的非易失性存储器装置。非易失性存储器单元的阵列在所述半导体衬底中以多个行和列布置。每个存储器单元包括位于所述半导体衬底表面上的第二导电类型的第一区，以及位于所述半导体衬底表面上的所述第二导电类型的第二区。沟道区位于所述第一区和所述第二区之间。字线覆盖在所述沟道区的第一部分上面并与其绝缘，并且与所述第一区相邻且几乎不与或完全不与所述第一区重叠。浮栅覆盖在沟道区的第二部分上面，与第一部分相邻并与其绝缘，且与第二区相邻。耦合栅覆盖在浮栅上面。位线连接至第一区。负电荷泵电路生成第一负电压。控制电路接收命令信号并响应于此生成多个控制信号，随后将第一负电压施加至未选择存储器单元的字线。在编程、读取或擦除操作期间，可将负电压施加至所述未选择存储器单元的所述字线。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 分裂 存储器 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器装置，包括：第一导电类型的半导体衬底；在所述半导体衬底中以多个行和列布置的非易失性存储器单元的阵列，每个存储器单元包括：位于所述半导体衬底的表面上的第二导电类型的第一区；位于所述半导体衬底的所述表面上的第二导电类型的第二区；位于所述第一区和所述第二区之间的沟道区；字线，所述字线覆盖所述沟道区的第一部分并与其绝缘，与所述第一区相邻且几乎不与或完全不与所述第一区重叠；浮栅，所述浮栅覆盖所述沟道区的第二部分，与所述第一部分相邻并与其绝缘，且与所述第二区相邻；覆盖所述浮栅的耦合栅；连接至所述第一区的位线；用于生成第一负电压的负电荷泵电路；以及控制电路，所述控制电路用于接收命令信号，并响应于所述命令信号而生成多个控制信号来控制所述第一负电压向选择的存储器单元的所述耦合栅的施加。
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