[发明专利]晶体硅太阳能电池的制造方法、及太阳能电池模块的制造方法有效
申请号: | 201580053243.4 | 申请日: | 2015-09-30 |
公开(公告)号: | CN107078179B | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
发明(设计)人: | 宇都俊彦;足立大辅 | 申请(专利权)人: | 株式会社钟化 |
主分类号: | H01L31/0747 | 分类号: | H01L31/0747;H01L31/0236 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 沈雪 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的制造方法依次具有如下工序:在单晶硅基板(1)的表面上形成纹理的工序;利用臭氧清洗单晶硅基板的表面的工序;在单晶硅基板的纹理上制膜本征硅层(2)的工序;在本征硅层上制膜导电型硅层(3)的工序。制膜本征硅层前的单晶硅基板(1)的纹理大小低于5μm。优选纹理凹部的曲率半径低于5nm。制膜本征硅层的至少一部分之后、制膜导电型硅层之前,在以氢气为主成分的气体氛围中,对本征硅层进行等离子体处理。 | ||
搜索关键词: | 晶体 太阳能电池 制造 方法 模块 | ||
【主权项】:
1.一种晶体硅太阳能电池的制造方法,该晶体硅太阳能电池在单晶硅基板的一主面上依次具有本征硅层、导电型硅层及透明导电层,所述制造方法依次具有如下工序:在所述单晶硅基板表面形成纹理的工序;利用臭氧清洗所述单晶硅基板表面的工序;在所述单晶硅基板的所述纹理上制膜所述本征硅层的工序;在所述本征硅层上制膜所述导电型硅层的工序,其中,制膜所述本征硅层之前,所述纹理的凹部的曲率半径低于5nm,且所述纹理的大小低于5μm,制膜所述本征硅层的至少一部分之后、制膜所述导电型硅层之前,在以氢气为主成分的气体氛围中,对所述本征硅层进行等离子体处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的