[发明专利]晶体硅太阳能电池的制造方法、及太阳能电池模块的制造方法有效

专利信息
申请号: 201580053243.4 申请日: 2015-09-30
公开(公告)号: CN107078179B 公开(公告)日: 2019-04-26
发明(设计)人: 宇都俊彦;足立大辅 申请(专利权)人: 株式会社钟化
主分类号: H01L31/0747 分类号: H01L31/0747;H01L31/0236
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 沈雪
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的制造方法依次具有如下工序:在单晶硅基板(1)的表面上形成纹理的工序;利用臭氧清洗单晶硅基板的表面的工序;在单晶硅基板的纹理上制膜本征硅层(2)的工序;在本征硅层上制膜导电型硅层(3)的工序。制膜本征硅层前的单晶硅基板(1)的纹理大小低于5μm。优选纹理凹部的曲率半径低于5nm。制膜本征硅层的至少一部分之后、制膜导电型硅层之前,在以氢气为主成分的气体氛围中,对本征硅层进行等离子体处理。
搜索关键词: 晶体 太阳能电池 制造 方法 模块
【主权项】:
1.一种晶体硅太阳能电池的制造方法,该晶体硅太阳能电池在单晶硅基板的一主面上依次具有本征硅层、导电型硅层及透明导电层,所述制造方法依次具有如下工序:在所述单晶硅基板表面形成纹理的工序;利用臭氧清洗所述单晶硅基板表面的工序;在所述单晶硅基板的所述纹理上制膜所述本征硅层的工序;在所述本征硅层上制膜所述导电型硅层的工序,其中,制膜所述本征硅层之前,所述纹理的凹部的曲率半径低于5nm,且所述纹理的大小低于5μm,制膜所述本征硅层的至少一部分之后、制膜所述导电型硅层之前,在以氢气为主成分的气体氛围中,对所述本征硅层进行等离子体处理。
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