[发明专利]生产用于透明导体的超薄金属纳米线的方法有效
申请号: | 201580051479.4 | 申请日: | 2015-09-25 |
公开(公告)号: | CN107073576B | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
发明(设计)人: | 杨培东;孙建伟;于奕;崔凡 | 申请(专利权)人: | 加利福尼亚大学董事会 |
主分类号: | B22F1/00 | 分类号: | B22F1/00;B22F9/24;B82B3/00;C07F1/08;C07F7/08;C07F7/12;C07F7/18;H01B1/02 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 牟静芳;郑霞 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开提供了生产超薄金属纳米线的方法以及生产超薄铜细长纳米结构的方法。还要求保护的是通过这些方法生产的金属纳米线以及所述金属纳米线作为透明导体的用途。所述要求保护的方法包括以下步骤:a)形成包含硅烷基还原剂、铜金属盐以及表面配体的反应混合物,其中所述表面配体也可以是溶剂;以及b)在搅拌或不搅拌的情况下加热所述反应混合物并使其维持在高温下1小时至48小时。铜金属盐的实例是CuI、CuBr、CuCl、CuF、CuSCN、CuCl2、CuBr2、CuF2、CuOH2、D‑葡萄糖酸铜、CuMoO4、Cu(NO3)2、Cu(ClO4)2、CuP2O7、CuSeO3、CuSO4、酒石酸铜、Cu(BF4)2、Cu(NH3)4SO4、以及包括前述物质的任何水合物。硅烷基还原剂的实例是:三乙基硅烷、三甲硅烷、三异丙基硅烷、三苯基硅烷、三正丙基硅烷、三正己基硅烷、三乙氧基硅烷、三(三甲基甲硅烷氧基)硅烷、三(三甲基甲硅烷基)硅烷、二叔丁基甲基硅烷、二乙基甲基硅烷、二异丙基氯硅烷、二甲基氯硅烷、二甲基乙氧基硅烷、二苯基甲基硅烷、乙基二甲基硅烷、乙基二氯硅烷、甲基二氯硅烷、甲基二乙氧基硅烷、十八烷基二甲基硅烷、苯基二甲基硅烷、苯基甲基氯硅烷、1,1,4,4‑四甲基‑1,4‑二硅杂丁烷、三氯硅烷、二甲基硅烷、二叔丁基硅烷、二氯硅烷、二乙基硅烷、二苯基硅烷、苯基甲基硅烷、正己基硅烷、正十八烷基硅烷、正辛基硅烷、以及苯基硅烷。表面配体的实例是油胺、三辛基氧化膦、油酸、1,2‑十六烷二醇、三辛基膦、或前述物质的任何组合。其中所述透明导体有用的器件的实例是:LCD显示器、LED显示器、光伏器件、触摸面板、太阳能电池板、发光二极管(LED)、有机发光二极管(OLED)、OLED显示器、以及电致变色窗。 | ||
搜索关键词: | 生产 用于 透明 导体 超薄 金属 纳米 方法 | ||
【主权项】:
1.一种合成超薄铜细长纳米结构的方法,所述超薄铜细长纳米结构具有小于65纳米的直径和大于1的长径比以及具有面心立方结构,所述方法包括:形成包含硅烷基还原剂、铜金属盐以及表面配体的反应混合物;以及在搅拌或不搅拌的情况下加热所述反应混合物并使所述反应混合物维持在160℃至200℃的温度1小时至48小时。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于加利福尼亚大学董事会,未经加利福尼亚大学董事会许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580051479.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。