[发明专利]半导体层叠结构以及使用半导体层叠结构分离氮化物半导体层的方法和装置有效
| 申请号： | 201580048456.8 | 申请日： | 2015-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN106688113B | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 尹义埈;文大荣;张正焕;朴容助;裵德圭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本发明的半导体层叠结构包括：与氮化物半导体的相异的单晶衬底；在所述衬底上形成的无机薄膜，以在所述无机薄膜和所述衬底之间限定空腔，其中，至少一部分所述无机薄膜结晶为与所述衬底相同的晶体结构；以及从所述空腔上的结晶化无机薄膜生长的氮化物半导体层。根据本发明的用于分离氮化物半导体层的方法和装置在所述衬底和所述氮化物半导体层之间进行机械地分离。能够通过对衬底和氮化物半导体层沿垂直方向施加力的分离方法、通过沿水平方向施加力的分离方法、通过以相对圆周运动施加力的分离方法及其组合方法进行机械分离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 层叠 结构 以及 使用 分离 氮化物 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体层叠结构，包括：与氮化物半导体异质材料的单晶衬底；在所述衬底上形成的无机薄膜，以在所述无机薄膜和所述衬底之间限定空腔，其中，至少一部分所述无机薄膜结晶为与所述衬底相同的晶体结构；以及从所述空腔上的结晶化无机薄膜生长的氮化物半导体层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580048456.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
